前言

        因為世界各國現代科技標準的增長和完美分析的進一步，完美軟件考試儀器成了各種一個國家和沿海地區科學培訓機構、高等學校和廠家必沒法少的工貝。開始反擊于世界各國第四代半導體器件高新產業跑馬圈地擴展產能，軟件考試的機械研究方向近于坐享需要收益，連續火辣。近些載以來，國外外有不少廠家姿態頻繁，關健教學環節的軟件考試的機械已不再被半數廠家壟斷競爭，相關行業世界各國化程序比較明顯加快速度，我們的市場軟件考試的機械的國產貨化率也在日趨的提升。

        緊緊圍繞3.代半導體技術材料技術的考試所需，合肥普賽斯的創新推新SiC/IGBT/GaN工作效果元件動態因素考試解決方法方案設計，為SiC和GaN元件帶來了可靠的的考試途徑，保證 工作效果半導體技術材料技術元件動態因素的高高精準度、快速率在測量和數據分析，廠品已被內地外好幾家著名半導體技術材料技術企業檢驗和操作。

國產測試設備出海機遇海外市場發展空間廣闊

        再者代半導體設備芯片技術元元器件封裝意思是以SiC、GaN為象征的半導體設備芯片技術元元器件封裝相關素材，與前祖孫三代半導體設備芯片技術元元器件封裝相關素材相對其優點是具備有較寬的禁速率度，更可以于制成室溫、低頻、抗輔射及大工作電壓的電子元元器件封裝，所以說在5G基站天線、氫能系統、太陽能光伏、風能發電、髙鐵等范圍呈現出非常廣泛的運用。Yole預測分析，環球SiC工作電壓半導體設備芯片技術元元器件封裝貿易銷售市場將從未來三年時間內的15億歐元的成長至2028年的62億歐元，年挽回年的成長率(CAGR)將高于34%，GaN工作電壓元元器件封裝貿易銷售市場將從未來三年時間內的1.25億歐元的成長到2028年的20億歐元，年挽回年的成長率(CAGR)到達的59%。

檔案資料從何而來:Yole Development

        近些余年，現代化半導體芯片專用環保設備生產專用環保設備保證國爭相更新出口貿易監管法律法規，從軟件各種測試專用環保設備的業務各種標準偏角來瞧，我國貿易市場的國內生產的混用業務各種標準敏感，法律法規層級也遭受到了極高重視起來，被判定是我國在半導體芯片專用環保設備行業領域“換道超車”的根本時間。不斷地國內生產的軟件各種測試專用環保設備能和相對穩判定的發展，在定價和的服務強勢的撬動下，在國外業務各種標準也日益持續增長，技術應用個人空間寬闊。

        近年，東莞普賽斯IGBT空態性能指標檢驗整體產品出口海外網站，并已進行樓盤質量檢查，圖標著隨時升級研究開發的全德國進口化IGBT空態性能指標檢驗的設備真正的進到知名市場中。

IGBT靜態參數測試的難點與挑戰

        任何器件的制造與應用都需以測試手段作為保障，IGBT功率器件的參數測試不僅是功率器件投入商業化應用的重要環節，也是研究器件性能的重要手段。根據測試條件不同，功率器件被測參數可分為兩大類：靜態參數和動態參數。靜態參數是指器件本身固有的，與工作條件無關的相關參數，如集射極穿透額定傷害功率V(BR)CES、是處于飽和狀態集射極傷害功率ICES、柵射極閥值額定傷害功率VGE(th)、顯示濾波電解電感 Cies、交叉文件傳輸濾波電解電感Cres、傷害濾波電解電感Coes等。

         常有的IGBT外部產品參數公測英文模式均根據于國外品牌標志，他們儀器的公測英文電阻值提升3000V以內，電壓提升1200A以內。而全球品牌在直流高壓低壓（>3000V）和高電壓（>1000A）IGBT輸出包塊公測英文角度與進口貨儀器相這對于比差太大，且最廣泛存有公測英文精確度欠缺高、在線測量位置有效的狀態。這對于某些道軌公路網用的直流高壓低壓大工作功率的IGBT單管、半橋輸出包塊，公測英文狀況需提升6500V/3000A，不會是進口貨儀器或者是國內儀器都比較難提升公測英文規定。

圖:Si/SiC/GaN的市場應用軟件劃分

高電壓、大電流：普賽斯IGBT靜態參數測試解決方案

        為對待多列各業對IGBT的自測訴求，南京普賽斯同向定制、精益管理開發了了款高五金機械的電壓-瓦數的IGBT靜止運作自測整體化，可供應IV、CV、跨導等豐富多彩功能鍵的綜合評估自測，具備著高計算精度、寬在線精確測量空間、輸出組件化定制、放松升級系統整體優化等勝機，此次著力滿足需要從根基瓦數肖特基二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體設備SiC、GaN等晶圓、單片機芯片、電子元件及輸出摸塊的靜止運作定性分析和自測訴求。整體化采用了輸出組件化集成化的定制空間結構，為客戶事件調查協調性增加或升級系統整體在線精確測量輸出摸塊供應了極大值簡單和既定性價比的高低，增長自測轉化率和產線UPH。         IGBT靜態變量叁數測定系統的支持信息交互式手工運營方法或融入試驗探針臺的系統自動運營方法，要能在從測定設定和履行到畢竟解析和數據源服務管理的一整塊分析方法過程中 中實現了便捷和可重復利用的元件分析方法。也可與高高濕箱、恒溫傳感器等混搭利用，擁有高高濕測定需要。

        IGBT靜態參數測試系統主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V(可拓張至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz，可靈活選配。

系統優勢/Feature

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯髙壓功能模塊建設的時期小于等于5ms，在測試儀時候中才能削減待測物加電時期的發熱怎么辦。

2、超高壓下漏電流的測試儀方法特性成績突出，測試儀方法涉及率具有國家廠家。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完全應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、雖然，VCE(sat)測量是定量分析 IGBT 導通功能表消耗的核心參數值，對轉換開關功能表消耗當然也有一定程度的直接影響。需求施用高速路窄單脈沖激光電流值源，單脈沖激光增加沿轉速要可以快時就要減少電子器件發高燒，與此同時機需求有一起取樣電壓電流功能表。

IGBT冗余測試儀英文軟件系統大電壓電流量輸出模塊：50us—500us 的可變電壓電流量脈寬，增加邊沿在 15us(先進典型值)，下降待測物在測試儀英文軟件步驟中的發燒，使測試儀英文軟件數據變得更加精準的。下圖為 1000A 波形：

4、飛速遲鈍的客制化沖壓模具緩解方式：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

結束語

        IGBT冗余能力參數測試軟件軟件系統作高高新自動化廠品的，之前的在知名市場中上只被少數民族行業掌握了。全世界半導體材料芯片家產的發展方向以其品質可靠半導體材料芯片制做設施保要國出口額管理的升極，對產的設施商家說不僅挑戰也是商業機會。今后，深圳普賽斯將充足引領廠品的能力和不斷創新競爭優勢，保持著力推進高高新自動化廠品的完美落地應用軟件，真做以能力成就更加多作用。