盛夏已過，初秋開場

七月的高溫環境隔絕長期不散日常生活也免沒法被忙亂的工作任務封魔

壓力大輸出功率(6500V/3000A)IGBT測試方法難？伴近年來大型項目所需急、日常任務重、要高工程施工師們各種壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

在SiC與Si性能方面特點的的不同，SiC MOSFET的域值電流具備著發飄確定，在器材測量儀時中域值電流有比較明顯漂移，引起其電性能方面測量儀、溫度高柵偏經過多次實驗發現后的電測量儀最終結果較為嚴重的依懶于測量儀要求。由于域值電流的準確無誤測量儀，現階段正規性測量儀具體方法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通阻值 RDSon為損害器材辦公時導通不足的一注重功能技術指標，其結果會隨 VGS 已經T的發生變化而改善。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流呵護就能夠將額定電壓以及瞬時電流制約在SOA位置，以免 器材損害或炸管。

測試軟件先決條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電流檢則電線將的提升導通電阻值測定高精準度；? SOCKET與PIN接處電阻功率功率、公測引線導通電阻功率功率。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，功率波形圖振蕩器；? 輸電線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 正規同軸數據線的等效電解電容與DUT電容串聯，SMU檢驗時提升與穩定的準確時間長；? 三同軸電攬等效電容器基本上為0。

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