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PMDT功率器件動態參數測試系統

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       PMDT業務電壓半導體元集成電源線路芯片動態的展示性能測驗圖片程序就是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC   MOS等半導體元集成電源線路芯片的動態的展示性能測驗圖片,就可以安全性高可靠方便快捷的測驗圖片業務電壓半導體元集成電源線路芯片的旋轉開關定時器和損耗量,評定半導體元集成電源線路芯片的安全性高可靠業務區,對半導體元集成電源線路芯片和驅動器電源線路的短路故障呵護形態完成認證,估測業務電壓構件的雜散電感。      設計通常由雙電脈沖信號燈遭受器,提識別率示波器,各類高壓變壓器電流量傳感器,各類高壓變壓器電、母線電容(電容器)、低雜感母排、自動的的化檢測系統軟件已經相互配套檢測工作服組合成。設計人員配備多種類檢測能夠板,可履蓋電開關按鈕叁數檢測、柵極電勢檢測、擊穿檢測、雪崩檢測等,單筆檢測就能完成任務電開關按鈕的特點及反方向找回的特點檢測;可實時路況保護檢測報告單及正弦波形線性,自動的的制成檢測報告單。


產品特點

● 高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
● 大電流達2000A(可擴展至6000A)
● 低寄生電感設計,<20nH寄生電感
● 安全防護機制,集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋,支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化,負載電感自動切換
● 溫度范圍廣,可選高溫模塊(常溫~200℃)或熱流儀(-40℃~200℃)

● 兼容多種封裝,可根據測試需求定制夾具


系統組成.png


測試項目

●  開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工作區:關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t



測試夾具

面對世體上各種不同封口內型的功效半導體技術,如IGBT、SiC、MOS等的產品的,普賽斯供給全套軟件測試方法夾具設計徹底解決工作方案,可以用于T0單管,半橋模組等的產品的的軟件測試方法

測試夾具.png



軟件界面

軟件界面.png

產品選型

項目正向電壓負向電壓最大電流脈寬范圍
柵極0~30V-20~0V10A0.1μs~200μs
項目最大電壓最大電流短路電流
漏極/集電極2000V2000A(DPT)12kA
項目雜散電感保護響應時間工作環境溫度
系統功能
<20nH  <2us常溫~40℃


PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考:

型號規格高壓差分探頭柔性電流探頭
PMDT20032000V/300A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(15個): 服務器帶寬 100M,示值 30AIc(15個): 帶寬的配置 30M,測量范圍 300A Icsc(15個): 下行帶寬 30M,分度值 12kA
PMDT20102000V/1000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X:350V,2000X: 3500VIg(6個):帶寬的配置 100M,示值 30AIc(1個大概):上行寬帶 30M,量限 1200A Icsc(6個):資源帶寬 30M,滿量程 12kA
PMDT20202000V/2000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(5個): 帶寬的配置 100M,滿量程 30AIc(5個): 帶寬的配置 30M,量限 3000A Icsc(6個): 下行帶寬 30M,滿量程 12kA



*綜上所述尺寸比如創新,恕不自行決定通告。

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