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精益求精于半導體行業電功能檢驗

憶阻器基礎性能研究

因素：admin 的時間：2022-11-07 16:13 網頁訪客：235
憶阻元件有幾個典型性的阻值程序,分別為是高阻態(HRS)和低阻態(LRS),高阻態有很高的阻值,一般說來為幾kΩ到幾MΩ,低阻態有較低的阻值,一般說來為幾十Ω。


憶阻器的阻變做法最主要是體現出在它的I-V等值線圖上，各個種原料產生的憶阻元器件封裝在大量過程上產生的差異,意義阻值的轉變隨另外加上電壓直流電或直流電轉變的各個,會可以分為二種,分開是直線憶阻器LM(linear memristor)或非直線憶阻器NLM(non-linear memristor)。
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