集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:
- 設定關鍵時期的設定驗證通過測試儀- 晶圓制造出價段的技藝監管測試- 芯片封裝前的晶圓測評- 芯片封裝后的生產設備檢測芯片測試應用現狀
芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加輸出功率測感應電流)。
普通的基帶芯片電性能參數測式可以數臺義表結束,如的電壓源、工作電流源、萬用表等,然后由數臺義表成分的控制系統可以分開 實行編程序、導入、聯系、量測和分享,方式簡化又等待的時間,又占用量過大測式臺的個人空間,并且便用形式化功能模塊的義表和勉勵源還發生簡化的雙方間解鎖作業,有更好 的不選擇性及變慢的互傳線互傳速率等偏差,是無法無法優質率測式的需要量。實施芯片電性能測試的最佳工具之一是數子源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。
基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道。
圖1:普賽斯CS型號插卡式源表
(10插卡及3插卡,高至40入口)
基于數字源表SMU的芯片測試方案
用普賽斯數字9源表進行存儲芯片的開漏電測式圖片(Open/Short Test)、漏電流測式圖片(Leakage Test)并且 DC技術指標測式圖片(DC Parameters Test)。1、開短路測試(O/S測試)
開虛接測驗(Open-Short Test,也稱重復性或相處測驗),應用在認證測驗程序與元器件擁有引腳的電相處性,測驗的進程是外借對地愛護整流二極管開始的,測驗進行連接電路板正確右圖:圖2:開漏電測試圖片路線圖連入示意圖
2、漏電流測試
漏電流試驗,又叫做為Leakage Test,漏電流試驗的的目的其主要是測式填寫Pin腳已經高阻情形下的傳輸Pin腳的電位差是否需要夠高,試驗連接方式電路設計有以下隨時:圖3:漏電流測驗路線連入示圖
3、DC參數測試
DC因素的公測,似的也是Force瞬時工作電流公測的輸出功率或 Force的輸出功率公測瞬時工作電流,最主要是的是公測特性阻抗性。似的各種各樣的DC因素還會在Datasheet外面表示,公測的最主要是的作用是保障單片機芯片的DC因素值不符正正確:圖4:DC參數指標公測層面連結圖示
測試案例
檢查系統安裝
Case 01 NCP1377B 開短路測試
測式 PIN 腳與 GND 期間連結情況,測式進程中SMU使用3V滿量程,加入的-100μA感應電流,限壓-3V,測量方法直流工作電壓可是表 1 提示,直流工作電壓可是在-1.5~-0.2 期間,測式可是 PASS。*測試英文各線路相連參考圖2
圖5:NCP1377B開燒壞測試英文可是
Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試
微電子交叉耦合器通常由2個分組名成:光的放射端及光的發送端。光的放射端通常由有光電感制成,電感的管腳為光耦的鍵盤輸入端。光的發送端通常是光敏晶狀體管, 光敏晶狀體管是憑借 PN 結在給予反向的方式給回的方式給回電阻值時,在光束射進來的角下反向的方式給回的方式給回電阻值由大變小的的基本原理來運行的,晶狀體管的管腳為光耦的導出端。 情況使用兩部SMU使用檢測,幾臺SMU與集成電路芯片輸入端拼接,做恒流源驅程帶光二級管并自動校正輸入端關聯性能指標,另幾臺SMU與集成電路芯片效果端拼接,做恒壓源并自動校正效果終端的關聯性能指標。*軟件測試路線連結參考圖4
圖6:BVECO 測量的數據及曲線方程
圖7:ICEO試驗資料及擬合曲線
圖8:鍵入性能曲線擬合
圖9:輸送性的身材曲線