前言

        2023年，境內半導體技術應用行業技術應用元器件行業結束連著高延長，開啟調控生長期。與此轉變成相比較，在新清潔能源汽車的、太陽能光伏、全釩液流電池等訴求起到下，3.代半導體技術應用行業技術應用元器件行業堅持公路的開發，境內化現貨供應鏈一體化采集體系中時未轉變成，行業戶型日漸創立，行業初進快成長的期。而境內3.代半導體技術應用行業技術應用元器件行業過先前產值堡壘機被部署和產線構建，國廠3.代半導體技術應用行業技術應用元器件產品的再度的開發好并利用校驗，技術應用平穩發展，產值快速發出，國廠增碳硅(SiC）元器件及板塊始于“上機”，園林采集體系中日漸進一步完善，專業化實時控制技能快速增加，綜合行業實力派逐漸發展。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022第二代半導設備芯片芯片流通業開發行業報告》表示，22年因為隨著我國第二代半導設備芯片芯片電輸出輸出功率網絡和徽波頻射三個行業改變總總值141.7萬億元，較明年上升11.7%，擴產連續增加。另外，SiC擴產上升翻一番，GaN擴產上升超30%，添加注資擴產工作方案較明年同比增速上升36.7%。此外，因為自動汽車行業市面 更快的上升，太陽能發電、微電網需要拉開，22年因為隨著我國第二代半導設備芯片芯片電輸出輸出功率網絡和徽波頻射市面 總規模較滿足194.2萬億元，較明年上升34.5%。另外，電輸出輸出功率半導設備芯片芯片市面 可超過105.5萬億元，徽波頻射市面 約88.6萬億元。

        平均，202兩年多將是3代半導體器件異軍突起的2年，整個市場將見證人兩個“技巧高速 努力、流通業高速 倍增、設計大控牌”的“東漢現時代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        不但，其次代寬禁帶光電器件裝修材料的分析也促進著LED燈飾行業的不停不斷發展，從Mini-LED到Micro-LED，持續不斷直接影響光電器件燈飾行業，另外在大電率離子束器、UV紫外線除臭/探測系統的領域起到重點要的的功效。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        目前為止，輸出工作效率半導電子元集成電路芯片市揚展流露出ibms化和引擎化、高的特點和高耐用的性、多電平系統、創新型電子元集成電路芯片型式和加工、自動化化和可重新構建等壯大壯大的趨勢和壯大壯大導向。輸出工作效率半導電子元集成電路芯片為操作于嚴厲生態環境下的高輸出工作效率強度電子元集成電路芯片，對電子元集成電路芯片耐用的性必須位居于每個半導電子元集成電路芯片的前烈。所以說，對電子元集成電路芯片識貧的的特點試驗必須、合適運行消費場景的耐用的性試驗能力、較準的無效剖析方式英文將可行的改善輸出工作效率半導電子元集成電路芯片成品的的特點及耐用的性表演。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 范圍圖廣，高至300V低至1pA- 世界最大脈沖發生器高度200μs- 精確度度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺最高3500V打印輸出功率打印輸出(可擴容10kV)- 在測量瞬時電流低至1nA- 更靈敏度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出的直流電達1000A- 幾臺電容串聯電動車續航6000A- 50μs-500μs的脈沖造成的大小能自由調節- 單脈沖邊沿陡(明顯時段15us)- 四公里同步操作檢測的電阻值(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 整流/脈沖發生器兩大類電壓值讀取經營模式- 大脈寬直流電壓，較高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式設計構思，1CH/插卡，至高支技10入口

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*大部分圖從何而來：政府信息文件清理

*位置資料的來源：全球第一產業鏈時報《當今世界第一代半導體器件產業鏈總體經濟滲入長大期》郭錦輝

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