如今III-V族最新型半導體技術技術的原材料的迅速提升與去創新廣泛應該用，對于氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和別許多化學物質半導體技術技術的基本特征分析方法，是怎樣的像電流量量測那么，解乏完成超快的I-V源和量測操作的？是怎樣的用的使用窄激光輸入脈沖和/或低占空比激光輸入脈沖，而都是電流量無線信號來阻止配件的自熱相應？是怎樣的做到既可以超快電流量輸出，又可以關聯高準確度度電流量量測的廣泛應該用實際需求？
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